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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
在廣泛的膜質(zhì)量控制
SiN沉積中，應(yīng)力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。 此外，通過(guò)改變氣體流速比，還可以控制折射率。
詳情介紹：
概述
PD-2201LC 是一種用于生產(chǎn)大氣盒式等離子體的等離子 CVD 設(shè)備，用于形成各種硅基薄膜（SiO+、SiN 等）。 從托盤輸送同時(shí)沉積多個(gè)小直徑晶圓，到通過(guò)單片晶圓處理實(shí)現(xiàn)高均勻的沉積，我們可根據(jù)客戶要求提供廣泛的支持。 此外，晶圓單片處理可以更改為真空盒室，無(wú)需打開(kāi)盒式室即可連續(xù)處理。
特點(diǎn)
在廣泛的膜質(zhì)量控制
SiN沉積中，應(yīng)力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。 此外，通過(guò)改變氣體流速比，還可以控制折射率。
緊湊的節(jié)省空間的設(shè)備
電氣系統(tǒng)被組裝在與設(shè)備不同的包裝盒中，使設(shè)備本身更纖薄。 （安裝面積：590mm（W） × 2170mm（D））
因此，您可以靈活地安裝它，以適應(yīng)您的空間。
通過(guò)托盤同時(shí)形成多個(gè)晶圓輸送
小直徑晶圓是可能的。 （φ2“×9張、φ3”×5張、φ4“×3張）
此外，通過(guò)更改托盤，可以輕松更改晶圓尺寸。
應(yīng)用示例
可以形成
氮化硅膜、氧化硅膜和非晶硅膜，形成各種硅基薄膜。
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