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• **反射率測量
• 膜厚分析
• 光學常數分析（n：折射率，k：消光系數）

半導體晶體管通過控制電流來傳輸信號，并嵌入絕緣膜以絕緣晶體管，以防止電流泄漏和另一個晶體管的電流通過任意通道。 絕緣膜含有SiO₂使用（二氧化硅）和SiN（氮化硅）。 二氧化硅₂用作絕緣膜，SiN為SiO₂作為更高的介電常數絕緣膜或作為不必要的SiO₂在去除 CMP 時用作塞子，然后去除 SiN。 因此，必須測量這些薄膜厚度，以確保絕緣薄膜的性能和**的過程控制。

液晶顯示器一般具有右圖所示的結構。 CF在一個像素處具有RGB，是一種非常高清的微圖案。 主流的CF成膜方法是將顏料基彩色抗蝕劑涂在玻璃的整個表面，通過光刻技術曝光和顯影圖像，每個RGB只留下圖案化部分。 此時，管理薄膜厚度值很重要，因為如果彩色抗蝕劑的厚度不是恒定的，則會導致圖案變形并作為濾色器的顏色變化。

近年來，使用具有各種功能的高性能薄膜的產品已經變得司空見慣，并且根據用途，可能需要在薄膜表面具有摩擦，沖擊，耐熱和耐化學性等性能的保護膜。 通常形成硬涂層（HC）膜作為保護膜層，但是由于HC膜的厚度可能無法用作保護膜，可能會在薄膜上產生翹曲，或者可能導致外觀不均勻或變形，因此有必要控制HC層的厚度值。

ITO（氧化銦錫）是一種用于液晶顯示器的透明電極材料，在成膜后通過退火（熱處理）來提高導電性和色度。 那時，氧態和結晶度也會發生變化，但這種變化可能會隨著薄膜的厚度逐步改變斜率，并且不能將其視為具有光學均勻成分的單層薄膜。 對于這樣的 ITO，我們將介紹一個使用傾斜模型測量上下界面 nk 傾斜度的示例。

如果樣品表面有粗糙度，則可以將表面粗糙度建模為“粗糙度層”，其中大氣（空氣）和膜厚材料以1：1的比例混合以分析粗糙度和膜厚。 在這里，我們描述了一個測量表面粗糙度為幾納米的SiN（氮化硅）的示例。

干涉濾光片通過沉積膜厚和NK控制的膜，可以在指定的波長波段內具有任意的反射率和透射率。 其中，*高精度的薄膜是通過多次重復薄膜作為高折射率層和低折射率層的一對（組）而形成的。 描述了使用超晶格模型測量和分析此類樣品的示例。

OLED材料對氧氣和濕氣敏感，在正常氣氛中可能會改變或損壞。 因此，成膜后，立即用玻璃密封。 描述了在密封時通過玻璃測量薄膜厚度的示例。 玻璃和中間空氣層采用非干涉層模型。

為了使用*小二乘法進行擬合并分析薄膜厚度值（D），需要材料的NK。 如果 nk 未知，它將 d 和 nk 解析為變量參數。 但是，對于D為100nm或更小的超薄膜，D和NK無法分離，這會降低精度并且可能無法提供準確的D。 在這種情況下，測量具有不同d的多個樣品，并假設nk相同，則執行同時分析（多點相同分析）。 這使得準確找到 nk 和** d 成為可能。

對于基板表面未反射的粗糙度較大的樣品，散射會降低測量的光，并使測量的反射率低于實際水平。 通過使用界面系數考慮基板表面反射率的降低，可以測量基板上薄膜的膜厚值。 例如，我們將描述一個測量發際線成品鋁基板上樹脂膜厚度的示例。

DLC（類金剛石碳）是一種無定形碳基材料。 它具有高硬度、低摩擦系數、耐磨性、電絕緣性、高阻隔性、表面改性和與其他材料的親和力提高等特點，并用于各種應用。 近年來，根據每種應用對薄膜厚度測量的需求不斷增加。
DLC厚度測量通常通過破壞性檢查進行，其中制備監視器樣品并用電子顯微鏡觀察樣品的橫截面，但大冢電子采用的光學干涉膜測厚儀可以無損高速測量。 通過改變測量波長范圍，可以測量從超薄膜到超厚薄膜的各種薄膜厚度。
通過采用獨特的顯微鏡光學系統，可以實際測量形狀的樣品而不是監視器樣品。 此外，通過在用監視器檢查測量位置的同時進行測量，可用于分析異常原因。
我們為各種形狀提供定制的傾斜和旋轉平臺。 可以測量實際樣品中的任何多個位置。
對于光學干涉膜厚系統的弱點，除非知道材料的光學常數（NK），否則無法進行準確的膜厚測量的問題，通過使用我們**的分析方法同時分析預先制備的多個不同厚度的樣品，可以獲得比傳統方法更高的NK：多點分析。
通過使用NIST（美國國家標準與技術研究院）認證的標準樣品進行校準來保證可追溯性。

○ 齒輪 ○ 軸

■類金剛石薄膜厚度測量示例

代理品牌：OTSUKA大塚電子（薄膜測厚儀、偏光片檢測、納米粒度分析儀、ZATA電位儀、相位差膜·光學材料檢查設備、液晶層間隙量測設備等）、SANKO三高、NPM日脈、東機產業（粘度計）、CCS（視檢查光源）、Aitec（視檢查光源）、REVOX萊寶克斯（視檢查光源）、EYE巖崎（UV汞燈）、SEN 日森、SERIC索萊克、各類日本光源 索尼克（風速計、流量計等）、坂口電熱（加熱器、制冷片）、NEWKON新光（針孔機）、NS精密科學（柱塞泵、高壓耐腐蝕防爆泵）   、SIBATA柴田科學、SAKURAI櫻井

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